简历
简历编号:N1022137

暂无照片
苏女士近期活跃
|28岁|硕士|应届生工作经验|156cm|未婚|汉族|团员
现居:金牛区    户籍:四川省万源市
求职意向
  • 工作类型:

    全职

  • 期望地区:

    成都市

  • 期望职业:

    半导体技术

  • 求职状态:

    目前正在找工作

  • 到岗时间:

    3个月后

教育经历
  • 2019/9-至今
  • 硕士|长沙理工大学|电子科学与技术

    所学课程:微电子器件,半导体物理,矩阵论,数值分析,高通量分析

语言能力
  • 英语
  •   熟练
项目经验
  • 2020/1-2021/3
  • 亚微米功率器件结构极限理论与实用化集成技术研究(国家自然基金)|项目负责人之一

    项目描述:该项目引入亚微米表面异位 MIS 耦合概念,设计出新型亚微米超结结构,提出了新结构实验研究方案,该结构击穿电压大于 400V,Ron,sp 较传统亚微米 SJ 器件降低 60%以上的。本项目通过亚微米结构 创新,拓展了功率半导体器件科学前沿,提出的电场调制基础理论可指导研制新一类亚微米超结器件。所研制器件具有高耐压、低功耗、高集成度以及良好的隔离特性等优点,可用于工业自动化、武器装备、航空航 天等领域。700V多通道 LDMOS 器件与版图设计

  • 2021/1-至今
  • 具有分区极化电荷自平衡的超低Ron,sp高k SOIpLDMOS模型与新结构研究|负责人之一

    项目描述:该项目在过在 pLDMOS 器件漂移区中引入高 k 介质槽结构,提出分区极化电荷自平衡新机理,揭示新一类电荷平衡机制,建立极化电荷场调制基础理论,普适于任意高 k 材料。项目将重点研究基于“自适应极化电荷”机理的超低比导通电阻 SOI pLDMOS 器件新结构及其耐压模型,并进行实验研制。

技能专长
  • Excel
  •   熟练
  • Word
  •   熟练
  • C++
  •   良好
我的证书
  • 2016/12
  • 大学英语六级|485
  • 2015/12
  • 大学英语四级|560
  • 2017/9
  • 全国计算机等级二级|合格
附加信息
  • 主题:
  • 著作/论文

    提出了一种具有 P/N 条带的阶梯分离式三栅 SOI LDMOS (P/N SSTG SOI LDMOS),它具有超低的导通电阻 (Ron,sp) 和低开关损耗。所提出的器件具有三重栅极 和阶梯式分裂栅极 (SSG)。 P条、N漂移和氧化沟在Z方向交替排列。同时,SSG位于N漂移区的氧化沟中,呈阶梯状分布。首先,TG增加沟道宽度(Wch)并具有调制电流分布的作用,导致较低的Ron、sp和较高的跨导(gm)。其次,SSGs作为场板帮助耗尽N-漂移区,增加N-漂移区的最佳掺杂浓度(Nd-opt)并进一步降低Ron,sp。此外,SSG 还具有调节电场分布以保持高击穿电压 (BV) 的效果。同时,由于引入了 SSG,栅漏电荷 (QGD) 和开关损耗降低。第三,在关断状态下,P条和SSGs多维辅助耗尽N漂移区,大大增加了Nd-opt。高度掺杂的 N 漂移区为电流提供了一个低电阻路径,这也进一步降低了 Ron,sp。与击穿电压几乎相等的三栅 (TG) SOI LDMOS 相比,P/N SSTG SOI LDMOS 的 Ron、sp 和 QGD 分别降低了 62% 和 63%

  • 主题:
  • 著作/论文

    提出一种HK SOI pLDMOS槽型结构,用一种新的物理机制解释具有高介电常数的材料在器件中的工作机理,并建立模型,同时与仿真结果相拟合

© 2024 成都网隆招聘网 版权所有